Тип памяти определяет внутреннюю структуру и основные характеристики. Главными отличиями являются разные рабочие частоты, производительность и энергопотребление. При выборе следует учитывать совместимость типа памяти с материнской платой.

Форм-фактор - это стандарт, определяющий размеры модуля, а также количество и расположение контактов. Форм-фактор DIMM предназначен для установки в настольные ПК. SO-DIMM используется чаще всего в ноутбуках, неттопах и моноблоках.

Суммарный объём памяти всех модулей комплекта. На сегодняшний день требуемый объём памяти зависит от задач, которые будет выполнять ПК. Для офисных ПК достаточно 8 Гб, для среднего домашнего вполне хватит 16 Гб, для мощных игровых и профессиональных конфигураций требуется от 32 Гб

Объём одиночного модуля памяти. На сегодняшний день требуемый объём памяти зависит от задач, которые будет выполнять ПК. Для офисных ПК достаточно 8Гб, для среднего домашнего вполне хватит 16Гб, для мощных игровых и профессиональных конфигураций требуется от 32Гб.

Количество модулей памяти, поставляющихся в комплекте. Использование комплекта из нескольких модулей приводит к увеличению скорости работы при установке многоканального режима. На сегодняшний день наиболее распространён двухканальный режим. Процессоры Intel на Socket 2066 и AMD на Socket sTRX4 поддерживают четырёхканальный режим, а Intel на Socket 3647 - шестиканальный.

Поддержка технологии ECC (Error-Correcting Code, коррекция ошибок) – обязательное свойство серверной оперативной памяти. Использование ECC-памяти значительно повышает отказоустойчивость системы за счет минимизации вероятности программных сбоев.

Ранг – логический блок или диапазон данных, созданный с использованием некоторых или всех микросхем в модуле памяти. Размер одного ранга – 64 или 72 (для памяти ECC) бита. Чем больше количество рангов, тем более высокой плотности памяти на канал (а значит, и объема модуля) можно достичь.

Частота оперативной памяти характеризует количество выполняемых в секунду операций. Чем выше частота, тем эффективнее работает память, соответственно повышается общая производительность системы.

Количество передаваемой информации в секунду. Этот параметр напрямую зависит от тактовой частоты памяти. Чем выше пропускная способность, тем эффективнее работает память и выше общая производительность системы.

CAS-латентность – наиболее важный тайминг оперативной памяти. CAS Latency (CL) – время рабочего цикла (задержка в тактах шины памяти между подачей команды от контроллера и началом передачи данных).

Время полного доступа к данным (количество тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней). Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки равно сумме таймингов CL и tRCD.

Задержка в тактах для перехода от одной строки в таблице к другой. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти при активной другой строке равно сумме таймингов CL, tRC и tRP.

Многие модули памяти, работающие на повышенных частотах и напряжениях, требуют дополнительного охлаждения для нормального функционирования. Охлаждение модулей памяти обычно реализуется установкой на них радиаторов. При сборке системы с массивной системой охлаждения процессора важно учитывать высоту модулей памяти с радиаторами, так как они могут препятствовать установке системы охлаждения на процессор.

Модуль, имеющий уменьшенную (обычно до 18-20 мм) высоту. Практическая ценность применения низкопрофильной памяти заключается в увеличении интенсивности циркуляции воздуха внутри корпуса компьютера. Применение низкопрофильных модулей прежде всего актуально в случае, если корпус ПК имеет незначительную (не более 120 мм) ширину.

Контроллер памяти для выполнения команды обращается к чипам модуля. Их количество влияет на производительность ОЗУ. Одноранговая память – это планки с 8 и менее чипами, двухранговая – с 9 и более.

ОЗУ с припаянными по обеим сторонам чипами. Допускают установку любым способом без снижения производительности памяти. Подходят не для всех материнских плат.

Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.